25 Cuestriones de transistores

1 - Un transistor está consituido por 2 uniones PN

• Una directamente y otra inversamente
• Como dato diremos que un diodo está polarizado directamente por lo tanto del colector pasa a la base y de esta al emisor. Todo esto independientemente de la posición de PNP o NPN.

2 - La corriente de los electrones que circula por la base de un transistor NPN...

•  ...La Itotal es Ic + Ib y dijimos que la Ib era pequeña y suficiente para activarla. Asi que con un 4% es suficiente para activarlo
• La ganancia es Ic/Ib y como ejemplo ponemos que si Ic es 100/4 que sería Ib, la ganancia total será de 25 y lo mismo si con otro ejemplo el porcentaje de Ib es 1 y el valor de Ic es 100, esto seria igual a 100/1 y la ganancia seria 100

3 -  El efecto transistor consiste en: 

• Hacer pasar una gran corriente por una union NP polarizada inversamente, polarizando directamente la otra unión.
• La explicación consiste en decir que primero pasa de N a P y de P a N, cuando hablamos de la I que pasa desde el colector al emisor

4 - La barrera de potencial que se crea en un transistor de Si (silicio) tiene un valor aproximado de

• 0.7 V al igual que el voltaje que tiene que haber entre un diodo para superarlo.

5 - En la operación de un transistor, el diodo "colector-base" tiene:

• Polarización inversa ya que pasa de N a P.
  
  Un diodo es de P a N  

• Al igual que de emisor a base que va de N a P.  Que no es lo mismo que de base a emisor o de base a colector 

6 - La ganancia de corriente de un transistor es 

• La división (razón) entre corriente de colector y corriente de base.

7 - Si la ganancia de corriente B = 200 e Ic = 100 mA la corriente de base

• Si B = Ic / Ib, Ib = Ic / B lo que cumplimentado con valores es igual a: 100mA / 200 = 0.5 mA

8 - Si la ganancia de corriente B = 100 e Ie = 300 la corriente de base será: 

• ¿0.33 mA, 2.97 mA ó 3.3 mA? 
• Dijimos que Ic es parecido a Ie entonces 297 mA se parece a 300 mA asi que cuando hacemos la operación de Ib = 297 mA / 100 = 2.97 mA
• Realmente B =  Ie - Ib / Ib es lo mismo que (Ie / Ib) -1
  Con los datos anteriores: B + 1 = 100 + 1 = 101 que es igual a 300 mA / Ib
  Por lo tanto Ib = 300 mA / 101 = 2.97 mA

9 - En un transistor NPN se mide Vbe = 0.7 V y Vce = 10 . ¿Cual será la Vce?

• Restaremos la Vbe a la Vce = 10 V - 0.7 V = 9.3 V

10 - La potencia disipada pr un transisotr es aproximada aigual a la Ic multiplicada por...

• Vce ya que para calcular la potencia total que es Ic tendremos que multiplicarlo por la Vtotal que es Vce. Recordamos que P = V x I

 11 - Si en el emisor de un transistor NPN se miden 5 V. ¿Qué tensión se mide en la base?

• Pues le debemos de añadir el voltaje que consume el diodo del (base-emisor) es decir, a 5 V que salen le añadimos 5.7 V que nos ha consumido y nos dará que a la entrada de la base llegaban 5.7 V.

12 - En un transistor NPN Vcb = 5.1 V

• Nos entran 5.1 V y sabemos que nos consume 0.7 V, asi que los restamos a la entrada y nos da que Vce = 4.4 V

 13 - En un transistor PNO Vcb = 5.1 V

• En un transistor NPN se resta el diodo del transistor pero en un transistor PNP se suma, por lo tanto, si nos entran 5.1 V le tendremos que sumar 0.7 V y nos dará el valor de Vce = 5.8 V

14 - Ic en saturación

• En saturación no hay más V que la que alimenta por arriba. La formula de Ic = Vc / Rc y en este problema como datos nos dicen que entran 20 V y que hay una resistencia en el colector de 3.3. Entonces la formula quedaría en 20 V / 3.3 K = 6.06 mA.

15 - Vc 

• En el siguiente ejercicio separamos los datos del transistor en 2, el modo de trabajo y el modo de control